Объяснение: Для расширенного режима n-MOSFET пороговое напряжение равно положительная величина.
Каково пороговое напряжение в n MOSFET?
Пороговое напряжение – это напряжение, приложенное между затвором и истоком MOSFET, которое необходимо для включения устройства в линейной области и в области насыщения Следующий анализ предназначен для определения пороговое напряжение N-канального MOSFET (также называемого N-MOSFET).
Что понимается под пороговым напряжением?
Пороговое напряжение, обычно обозначаемое как Vth, полевого транзистора (FET) равно минимальному напряжению затвор-исток V GS(th), который необходим для создания проводящего путь между клеммами истока и стокаЭто важный коэффициент масштабирования для поддержания энергоэффективности.
Как рассчитывается пороговое напряжение в MOSFET?
Для определения порогового напряжения необходимо применить уравнение зависимости тока стока от затвора к напряжению истока VGS в области насыщения VDS. Область насыщения определяется как VDSsat=> VGS-Vth Она называется передаточной кривой при насыщении тока стока.
Может ли пороговое напряжение N-канального МОП-транзистора быть отрицательным?
Итак, да, N-Channel MOSFET с истощением имеет отрицательное пороговое напряжение.