Важный шаг был сделан сразу после создания лазеров на PN-переходе, когда концепция лазера на двойной гетероструктуре была сформулирована независимо нами и Кремером 11 В своей статье Кремер предложил использование двойных гетероструктур для удержания носителей в активной области.
Что вы понимаете под двойной гетероструктурой?
Двойная гетероструктура формируется, когда два полупроводниковых материала выращиваются в виде «бутерброда». Один материал (например, AlGaAs) используется для внешних слоев (или оболочки), а другой с меньшей шириной запрещенной зоны (например, GaAs) используется для внутреннего слоя.
В чем преимущества двойной гетероструктуры?
Ниже приведены преимущества или преимущества светодиодов DH (Double Heterojunction): ➨ Он обеспечивает более высокую эффективность с низкой и высокой яркостью по сравнению с одинарным гомопереходом (p-n +) Тип светодиода. ➨Длина волны излучения светодиодов DH на основе GaAs/AlGaAs составляет прибл. от 0,8 до 0,9 мкм.
Что такое лазер на двойной гетероструктуре?
Лазерный диод с двойной гетероструктурой: Лазерный диод с двойным гетеропереходом состоит из сэндвич-слоя материала с малой шириной запрещенной зоны со слоями с обеих сторон из слоев с широкой запрещенной зоной.
Что такое физика гетероструктур?
Гетероструктура определяется как полупроводниковая структура, в которой химический состав изменяется в зависимости от положения Простейшая гетероструктура состоит из одного гетероперехода, который представляет собой интерфейс внутри полупроводникового кристалла, через который меняется химический состав.
